气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析

• 作 者: 郝国强 张永刚 顾溢 李爱珍 朱诚
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
• 出 处: 红外与毫米波学报
• 发表日期: 2006年4期
• 关键词: 光电子学 光电探测器 暗电流分析 温度特性 零偏压下微分电阻与面积乘积 optoelectronics photodetectors dark current
• 基金项目: National ＂973＂ Project （ G20000683 ）, National ＂863＂ Project （ 2002AA313040 ）.

从理论与实验两方面对截止波长为1．7μm（x=0．53），1．9μm（x=0．6）和2．2μm（x=0．7）pin InxGa1-xAs探测器性能进行了研究．对探测器暗电流的研究结果表明，扩展波长In0.6Ga0.4As，In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区，欧姆电流占据主导地位；在反向偏置高压区，缺陷隧穿电流占主导地位；且扩展波长In0.6Ga0．3As，In0．7，Ga0.3As探测器的暗电流比In0．53Ga0．47As探测器增加较大，对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果