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采用直流磁控溅射法在室温玻璃基片上制备出了掺硅氧化锌（ZnO：Si）透明导电薄膜，研究了溅射功率对ZnO：Si薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响，实验结果表明，溅射功率对ZnO：Si薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响，而对其光学性能影响不大。实验制备的ZnO：LSi薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有垂直于基片方向的c轴择优取向。当溅射功率从45W增加到105W时，薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大，薄膜的电阻率减小；当溅射功率为105W时，薄膜的电阻率达到最小值3．83~104n·