SO4^2-插层ZnAl和MgAl类水滑石的制备条件研究

• 作 者: 王宇 王琳 张惠 申延明
• 机 构: 沈阳化工学院化学工程学院
• 出 处: 沈阳化工学院学报
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: 类水滑石 层状化合物 硫酸根离子 插层 hydrotalcite-like compounds layered double hydroxides sulfat

采用共沉淀法，以金属硫酸盐为原料，NaOH为沉淀剂合成SO4^2-插层ZnAl和MgAl类水滑石，并通过XRD、FT—IR对其结构特征进行表征．探讨合成条件以及M^2＋与M^3＋摩尔比对水滑石结构的影响．结果表明：pH值8．0，晶化温度60-80℃、晶化时间5～10h可合成结构完整的水滑石晶相．M^2＋与M^3＋摩尔比在2～4均可合成水滑石单一晶相，但随着M^2＋与M^3＋摩尔比的增加，水滑石的层间距增大．IR测试证实，层间插层的阴离子为SO4^2-．