【摘 要】
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随着MOS技术引入功率半导体领域,功率控制器件发生了革命性的变化。在功率控制方面,发展最快的一个领域是高效的电机控制。对这个领域作出巨大贡献的器件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。它们
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随着MOS技术引入功率半导体领域,功率控制器件发生了革命性的变化。在功率控制方面,发展最快的一个领域是高效的电机控制。对这个领域作出巨大贡献的器件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。它们可望把MOSFET和达林顿晶体管挤出传统的应用,这是因为它们在20kHz
With the introduction of MOS technology into the field of power semiconductors, power control devices have undergone revolutionary changes. One of the fastest growing areas of power control is efficient motor control. The device that has made a significant contribution to this area is the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). They are expected to squeeze MOSFETs and Darlington transistors out of conventional applications because they are at 20kHz
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