【摘 要】
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本文采用多相流模型对不同冷却条件下Al-Si/SiC系统二维凝固过程进行了数值模拟,对顶面冷却、底面冷却、侧面冷却和四面冷却条件下,无颗粒、小颗粒和大颗粒的情况进行了研究.
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本文采用多相流模型对不同冷却条件下Al-Si/SiC系统二维凝固过程进行了数值模拟,对顶面冷却、底面冷却、侧面冷却和四面冷却条件下,无颗粒、小颗粒和大颗粒的情况进行了研究.溶质分布表明:对于分凝系数小于1的合金,先凝固的地方出现负偏析,后凝固的地方出现正偏析.顶面冷却和底面冷却时会出现A型偏析,侧面冷却和四面冷却时出现V型偏析.共晶分布验证了Scheil方程,共晶的产生会受到宏观偏析的影响,而且大颗粒的堆积会抑止共晶的产生.
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