【摘 要】
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研究了在 n 型 GaAs 上反应溅射的 WN 接触的电性能。当混合气体中含有6%的 N_2时,得到了大的势垒高度(0.84eV)和低的电阻率(75μΩ·cm)。对于1.5μm WN 栅自对准 GaAs MESF
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研究了在 n 型 GaAs 上反应溅射的 WN 接触的电性能。当混合气体中含有6%的 N_2时,得到了大的势垒高度(0.84eV)和低的电阻率(75μΩ·cm)。对于1.5μm WN 栅自对准 GaAs MESFET,它的典型跨导是150mS/mm。利用 WN 栅自对准工艺,已经成功地制造出1k 门 GaAs DCFL。在无载和有载的条件下(扇出=3,内连线的长度=2mm)传播延迟时间分别为49ps/门和200ps/门,其耗散功率为0.39mW/门。
The electrical properties of reactively sputtered WN contacts on n-type GaAs were investigated. When the mixed gas contains 6% N 2, a large barrier height (0.84eV) and a low resistivity (75μΩ · cm) are obtained. For a 1.5μm WN gate self-aligned GaAs MESFET, its typical transconductance is 150mS / mm. Using a WN gate self-aligned process, a 1k-gate GaAs DCFL has been successfully fabricated. The propagation delay times were 49ps / gate and 200ps / gate at no load and no load (fanout = 3, interconnect length = 2mm), respectively, dissipating 0.39mW / gate.
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