利用电子全息术测量掺锰钛酸锶双晶界面的势场分布

• 作 者: 王岩国 张泽 阎光辉
• 机 构: 中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室
• 出 处: 电子显微学报
• 发表日期: 2001年2期
• 关键词: 电子全息 钛酸锶 铁电材料 掺杂 双晶界面 势场分布 interfaceelectron holographypotential distributionstr
• 基金项目: 中国科学院科研项目

用电子全息方法测量了掺锰钛酸锶24°[001]倾转晶界面的电势场分布.该势场分布特征是以界面为中心的双Schottky势垒.利用Poisson方程由势场分布导出了电荷在界面处的分布.特征是界面中心处有负电荷集聚,相邻空间分布着等量的正电荷使得该界面在整体上保持电中性.势场分布的宽度约为3 nm.导致Schottky势垒产生的原因是界面上发生了Mn+2及Mn+3离子与Ti+4离子间的替代反应,使得电子在界面处聚集,Ti+4阳离子集中分布在相邻的空间.