【摘 要】
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本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的Ｓ参数的基本原理．首次用光电导采样技术测量了宽带（１８～３６ＧＨｚ）低噪声三级放大器的Ｓ参数，与用网络分析仪测量的结果进行了比较，一致性很好．而光
【机 构】
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南开大学物理系,国家教委光学信息技术开放实验室
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本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的Ｓ参数的基本原理．首次用光电导采样技术测量了宽带（１８～３６ＧＨｚ）低噪声三级放大器的Ｓ参数，与用网络分析仪测量的结果进行了比较，一致性很好．而光电导采样技术的测量带宽已达到１００ＧＨｚ．
This paper reports the basic principle of using photoconductive sampling technique to measure S-parameters of microwave monolithic integrated circuits. For the first time, the S-parameters of broadband (18 ~ 36GHz) low-noise three-stage amplifier were measured by photoconductive sampling technique and compared with the results measured by network analyzer. The consistency was good. The photoconductive sampling technology has reached the measurement bandwidth of 100GHz.
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