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真空微电子器件发射体材料研究概况
真空微电子器件发射体材料研究概况
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xcswzq
【摘 要】
:
改善真空微电子器件发射体材料的性能,有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况,认为目前对金属薄膜材料,合金材料,金刚石薄膜,碳
【作 者】
:
刘卫东
罗恩泽
【机 构】
:
西北工业大学,西安电子科技大学
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1994年2期
【关键词】
:
真空微电子学
阴极材料
金刚石薄膜
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改善真空微电子器件发射体材料的性能,有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况,认为目前对金属薄膜材料,合金材料,金刚石薄膜,碳化物,硅化物等的场发射特性的研究工作,将产生一些性能优异的发射体材料。
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