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本发明涉及一种可适用于各种用途的低热膨胀材料，它基本上由组成式RM（QO4）3所示晶体构成，其中，R表示Zr和Hf中的至少一种，M表示Mg、Ca、Sr、Ba及Ra中的至少一种，Q表示W及Mo中的至少一种。
低热膨胀材料
【摘 要】
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本发明涉及一种可适用于各种用途的低热膨胀材料，它基本上由组成式RM（QO4）3所示晶体构成，其中，R表示Zr和Hf中的至少一种，M表示Mg、Ca、Sr、Ba及Ra中的至少一种，Q表示W及Mo中的至少一
【机 构】
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日本松下电器产业株式会社
【出 处】
：
中国钼业
【发表日期】
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2007年3期
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