【摘 要】
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采用化学气相沉积技术研制碳化硅外延薄膜有一个不能忽视的问题,就是如何处理外延过程中产生的尾气。介绍常用的两种不同类型的碳化硅化学气相沉积设备以及其对应的尾气处理
【机 构】
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单片集成电路和模块国家级重点实验室,国网智能电网研究院,
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采用化学气相沉积技术研制碳化硅外延薄膜有一个不能忽视的问题,就是如何处理外延过程中产生的尾气。介绍常用的两种不同类型的碳化硅化学气相沉积设备以及其对应的尾气处理装置;分析不同类型的碳化硅外延设备产生尾气的组分,重点描述燃烧式及水洗式尾气处理装置的工作原理。
The use of chemical vapor deposition technology developed silicon carbide epitaxial film has a problem that can not be ignored, that is, how to deal with the exhaust generated during the epitaxial process. The two commonly used types of SiC chemical vapor deposition equipment and their corresponding exhaust gas treatment devices are introduced. The composition of tail gas produced by different types of silicon carbide epitaxial devices is analyzed. The working principle of the combustion and water exhaust gas treatment devices is mainly described.
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