【摘 要】
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以Si为基底,采用气相沉积法制备出石墨烯(G/Si)薄膜。将含1%APTES的苯溶液与G/Si密封,在115℃下加热2 h,G薄膜上自组装单层APTES膜(SAM-G/Si)。将SAM-G/Si浸渍于酸处理后的单
【机 构】
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Institute of Basic Science,Sungkyunkwan University,Department of Energy Science,Sungkyunkwan Univers
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以Si为基底,采用气相沉积法制备出石墨烯(G/Si)薄膜。将含1%APTES的苯溶液与G/Si密封,在115℃下加热2 h,G薄膜上自组装单层APTES膜(SAM-G/Si)。将SAM-G/Si浸渍于酸处理后的单壁碳纳米管氯仿液中,45℃干燥即得到单壁碳纳米管-石墨烯杂化材料(SWCNT-G/Si)。结果表明,具有p-型电学性能的G/Si经表面改性后呈现出n-型性能,电容性能得到提高。
Using Si as substrate, graphene (G / Si) thin films were prepared by vapor deposition. The benzene solution containing 1% APTES was sealed with G / Si and heated at 115 ℃ for 2 h to assemble self-assembled monolayer APTES film (SAM-G / Si) on G film. Single-walled carbon nanotube-graphene hybrid (SWCNT-G / Si) was obtained by immersing SAM-G / Si in acid-treated single-wall carbon nanotube chloroform solution and drying at 45 ℃. The results show that the G / Si with p-type electrical properties exhibits n-type performance after surface modification and the capacitance performance is improved.
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