中芯实现DRAM技术突破

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中芯国际最近宣布该公司的北京工厂已经在300毫米晶圆的纳米制造工艺方面实现了突破。据介绍,中芯在去年12月分别与德国英飞凌和日本Elpida签订了DRAM芯片生产协议。但是今年2月该协议在执行过程中却遇到一些问题。原来英飞凌和Elpida分别要求使用110纳米和100纳米的制造工艺,
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