【摘 要】
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本文报道了用离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲
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本文报道了用离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为133",并具有原子水平平整程度的ZnSe(100)单晶薄膜。
This paper reports the results of the epitaxial ZnSe single crystal thin films on GaAs (100) by ionized atomic beam (ICB) technique. Single-source eruption was used to analyze the composition of epitaxial thin films by electron spectroscopy. The structure and the epitaxial mass of epitaxial ZnSe single crystal thin films were studied by means of mutual light diffraction and RHEED. The ZnSe (100) single crystal thin film with the FWHM of 133 "and a flat atomic level was obtained.
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