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Si/C/N纳米粉原位生长SiC晶须
Si/C/N纳米粉原位生长SiC晶须
来源 :西北工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq382585541
【摘 要】
:
Si/C/N纳米粉原位生长SiC晶须*潘正伟①张立同②SiC晶须的良好热性能和化学稳定性,特别是接近于单晶的理论强度十分引人注目。目前,制备SiC晶须的主要方法有SiO2碳热还原法和稻壳法[1]。在这两种方法中
【作 者】
:
潘正伟
张立同
【机 构】
:
西北工业大学
【出 处】
:
西北工业大学学报
【发表日期】
:
1997年1期
【关键词】
:
碳化硅
晶须
硅/碳/氮纳米粉
原位生长
SiC whicker
Si/C/N nanocomposite powder
insitu growth
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Si/C/N纳米粉原位生长SiC晶须*潘正伟①张立同②SiC晶须的良好热性能和化学稳定性,特别是接近于单晶的理论强度十分引人注目。目前,制备SiC晶须的主要方法有SiO2碳热还原法和稻壳法[1]。在这两种方法中,均需要加入催化剂(如Fe、Co等)以形...
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