构造单片半导体结构技术取得突破

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据物理学家组织网近日报道,瑞士和意大利科学家在近日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构几乎完美无缺,最新研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。
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