Si 80 Ge 20 P 3合金的制备及其热电性能

• 作 者: 吴福海 武伟名 唐显
• 机 构: 中国原子能科学研究院同位素研究所
• 出 处: 材料研究与应用
• 发表日期: 2020年4期
• 关键词: 热压烧结 Si80Ge20P3 热电性能 hot press sintering Si 80 Ge 20 P 3 thermoelectric properti

采用熔炼和热压烧结制备了合金Si 80 Ge 20 P 3,Si和Ge中添加P实现N型掺杂,熔炼实现Si和Ge合金化,热压烧结使合金Si 80 Ge 20 P 3成型.对合金Si 80 Ge 20 P 3进行XRD,SEM及EDS表征并进行电导率、Seebeck系数、热导率等热电参数测试.结果表明,制备的Si 80 Ge 20 P 3结构致密、硅锗分布均匀,合金化完全,实现了杂质P的有效掺杂.Si 80 Ge 20 P 3具有较佳的热电性能,热导率κ随温度升高而降低,在800℃时为2.6 W/(m