“一种高纯二氧化碲单晶及制备方法”获国家专利优秀奖

• 出 处: 军民两用技术与产品
• 发表日期: 2016年3期
• 关键词: 制备方法 二氧化碲 国家专利 中国科学院上海硅酸盐研究所 单晶 高纯 晶体生长过程 生长基元

中国科学院上海硅酸盐研究所的研究人员发明的“一种高纯二氧化碲单晶及制备方法”（专利号：200910048849．5），获得了第十七届中国专利优秀奖。该项专利利用晶体生长过程中生长基元从无序变为有序进而提高纯度的原理，首创了两次生长制备方法，获得了铀、钍等杂质含量达到10^-14g／g的高纯二氧化碲单晶，推动了中微子探测项目的发展。采用该项专利技术制备的二氧化碲单晶优越的声光性能和宽波段透过性能满足了我国探月工程的红外成像要求，在国际上首次成功应用于月球探测。