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采用拉曼光谱法研究了不同退火时间下的微晶硅薄膜应力。结果发现样品的应力梯度并不随着退火时间的增加而增大。而是存在最大值，这可能与晶粒尺寸有关，且靠近玻璃衬底的薄膜有较高压应力，由衬底到薄膜表面压应力逐渐减小，直到表面变为拉应力。
拉曼光谱法研究微晶硅薄膜应力梯度
【摘 要】
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采用拉曼光谱法研究了不同退火时间下的微晶硅薄膜应力。结果发现样品的应力梯度并不随着退火时间的增加而增大。而是存在最大值，这可能与晶粒尺寸有关，且靠近玻璃衬底的薄膜有
【机 构】
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榆林学院
【出 处】
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科学技术与工程
【发表日期】
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2011年23期
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