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设计了一种运用互补单元，三极管作为选通管的282R结构，并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性，采用全新的以比值定义状态的存储方法，实现了四态多值存储．本设计中的相变存储单元在没有造成面积上牺牲的情况下，达到了1T1R四态多值存储单元的存储密度，并且改善了工艺波动对数据读出的影响，结合了占用面积小、存储密度大和可靠性高这3个优点，使得相变存储器在高密度，高可靠性的应用场合有着良好的前景．