【摘 要】
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美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布,他们已制造出目前世界最快的晶体管,这种磷化铟与砷化铟镓制造的新型晶体管速度达845GHz,较之前的记录超出约300GHz。这一速度是在-55°
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美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布,他们已制造出目前世界最快的晶体管,这种磷化铟与砷化铟镓制造的新型晶体管速度达845GHz,较之前的记录超出约300GHz。这一速度是在-55°C获得的,室温下该晶体管可以运行在765GHz。除了新型材料外,这种晶体管的制造工艺也更为精良,基部仅有1
Researchers at the University of Illinois at Urbana-Champaign announced they have manufactured the world’s fastest transistor, a new transistor made of indium phosphide and indium gallium arsenide that runs at 845GHz, about 300GHz above the previous record. The speed is obtained at -55 ° C, the transistor can be operated at 765GHz at room temperature. In addition to the new materials, this transistor is also more sophisticated manufacturing process, the base only 1
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