退火温度对VO_X薄膜结构及光学性质的影响

• 作 者: 张雷 何捷 王玲珑 刘强 王晓中 郭英杰
• 机 构: 四川大学物理科学与技术学院
• 出 处: 光散射学报
• 发表日期: 2009年1期
• 关键词: 薄膜 真空蒸镀 退火温度 禁带宽度 thin films vacuum evaporation annealing temperature energ
• 基金项目: 国家自然科学基金（10475058,10875038）

以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度≥99．99％，质量百分比）为原料，采用真空蒸发——还原工艺，在不同退火温度下还原出不同组分的VOx薄膜。利用X射线衍射仪，X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计对薄膜进行测试和分析，得到了不同退火温度与薄膜结构和其光学特性的关系。结果显示：V2O5中的V^5＋随着退火温度的上升被还原，退火温度为450℃时，V^4＋含量最高，结晶最好，500℃时，薄膜组分表现出逆退火现象，温度进一步升高，钒再次被还原。