【摘 要】
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三氧化钨(WO3)是典型的半导体材料,因其具有良好的光电化学(PEC)特性而受到了广泛的研究.但经电解后,WO3光阳极会的PEC催化活性将出现急剧地衰减,导致其无法循环使用,造成了浪费.为了解决这一科学问题,实验以钨酸钠(Na2 WO4·2 H2 O)为钨源,HCl为酸源,通过沉淀法制备了WO3粉体.然后,采用刮刀涂布工艺制备了涂层厚度约为15μm的WO3/FTO电极.并采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)等方法对其结构、形貌及
【机 构】
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北方民族大学 材料科学与工程学院,银川 750021;工业废弃物循环利用及先进材料“国际合作基地”,银川 750021;北方民族大学 材料科学与工程学院,银川 750021;北方民族大学 化学与化学工
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三氧化钨(WO3)是典型的半导体材料,因其具有良好的光电化学(PEC)特性而受到了广泛的研究.但经电解后,WO3光阳极会的PEC催化活性将出现急剧地衰减,导致其无法循环使用,造成了浪费.为了解决这一科学问题,实验以钨酸钠(Na2 WO4·2 H2 O)为钨源,HCl为酸源,通过沉淀法制备了WO3粉体.然后,采用刮刀涂布工艺制备了涂层厚度约为15μm的WO3/FTO电极.并采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)等方法对其结构、形貌及组成进行表征.XRD和Raman结果表明,制备的WO3具有单斜结构.通过FE-SEM观察发现,WO3的表面形貌是由10～30 nm的纳米颗粒组成.PEC测试结果表明,电解前的WO3/FTO电极在1.5 V vs.Ag/AgCl偏压作用下,可以产生7.7 mA/cm2的饱和光电流,是同等条件下电解后WO3/FTO电极的3.7倍(2.1 mA/cm2).但经过阴极扫描后,可以使WO3/FTO电极的饱和光电流恢复至8.1 mA/cm2,这与电解前相比,恢复率达105％.在对WO3/FTO电极PEC性能恢复机制的研究过程中发现,WO3表面O原子的结合状态是决定其PEC性能恢复的重要因素.
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糖醇是一种用于储热的相变材料,具有较高的潜热,然而,糖醇的高过冷度阻碍了其应用.D-甘露醇作为一种糖醇,在中温储热方面具有广阔的应用前景.选用氧化铝和碳化硅作为成核剂,海藻酸钠和羧甲基纤维素作为增稠剂,观察了纯甘露醇、成核剂、增稠剂以及单独或联合添加成核剂和增稠剂的甘露醇的形貌.采用差示扫描量热法研究了成核剂和增稠剂对甘露醇相变特性的影响.实验结果表明,氧化铝、碳化硅和适量的海藻酸钠促进了甘露醇的成核结晶,当氧化铝、碳化硅、海藻酸钠的质量分数分别为7.0％、9.0％、0.5％时达到最低过冷度,样品相比纯甘
采用高焓大气等离子喷涂技术,以纳米级ZnO、Al2O3和TiO2为原料,通过固相反应制得以ZnAl2O4为主相的陶瓷粉末,加入粘结剂聚乙烯醇(PVA),通过喷雾造粒的方法制备复合吸波陶瓷涂层(简称为AZT涂层).分析了AZT涂层的微观结构和相组成,探究了喷涂功率对AZT涂层微波介电性能的影响.结果表明,AZT涂层对比粉末有了较大变化,ZnAl2O4在高温等离子火焰中发生部分分解,TiO2以非计量化学比形式析出.介电性能测试表明,随着喷涂功率的增加,涂层介电常数ε\'下降,损耗角正切值tanδ在0.11
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以硅藻土为载体,利用磺化技术制备硅藻土基固体酸催化剂,并探讨其催化油酸的性能.经研究,以炭化硅藻土为原料,在磺化6 h,140℃条件下制备的硅藻土基固体酸催化剂酸密度可达0.5126 mmol/g.催化剂性能表征研究发现,FT-IR显示磺化作用可使磺酸根接枝到硅藻土上,催化剂特征吸收峰振动范围增强,酸密度增大;XRD发现,炭化和磺化过程不会显著破坏硅藻土的非晶态二氧化硅结构,保证了硅藻土载体的稳定性,从而利于形成稳定的催化剂结构;SEM发现炭化硅藻土的表面杂质明显少于硅藻原土,磺化后催化剂孔道结构仍然完整
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