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使用除氢，高温成核和低温生长三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜，该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＾＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿色。
发蓝绿光纳米硅薄膜的快速热处理制备
【摘 要】
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使用除氢，高温成核和低温生长三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜，该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＾＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿色。
【机 构】
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中国科学技术大学研究生院
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1998年3期
【基金项目】
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中国科学技术大学研究生院（北京）院长基金
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