AlGaInP材料LED的电子束辐照效应的PL谱分析

• 作 者: 于莉媛 刘超 牛萍娟 吴英蕾
• 机 构: 天津工业大学电气工程与自动化学院,天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室,天津工业大学电子与信息工程学院
• 出 处: 电工技术学报
• 发表日期: 2015年S1期
• 关键词: 电子束辐照 LED 发光性能 PL谱 Electron-beam irradiation LED luminescent properties PL Spect

应用电子束辐照可以揭示载流子注入的半导体器件的电子注入对残余杂质和结构性缺陷的效应影响,对辐照引起改性的研究也十分重要。本文主要研究1.5Me V电子加速器、3Me V电子加速器、7.5Me V电子加速器、7.5Me V电子加速器X射线转靶几种电子束辐照对Al Ga In P材料LED发光性能的影响,并应用PL谱对比分析不同能量和剂量的电子束辐照对Al Ga In P材料LED外延片的辐照效应。在发光强度的变化上,在10k Gy剂量以下的1.5Me V电子束辐照和5k Gy剂量以下的3Me V电子束辐照下