相变存储器多态存储方法

• 作 者: 刘欣 周鹏 林殷茵 汤庭鳌 赖云峰 乔保卫 冯洁 蔡炳初 Bomy Chen
• 机 构: 复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;上海交通大学,微纳科学技术研究院,上海,200030;Silicon Storage Technology Inc., 1171 Son
• 出 处: 复旦学报(自然科学版)
• 发表日期: 2008年1期
• 关键词: 微电子技术 相变存储器 多值存储 多值存储单元

提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统“高阻态”和“低阻态”两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.