【摘 要】
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为了研究点缺陷对Al0.5Ga0.5N纳米片电子结构和光学性质的影响,建立了Al、Ga、N空位和N取代Al、N取代Ga的经典点缺陷结构。基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势的方法和GGA
【基金项目】
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国家重点科研项目政府间合作专项(2016YFE0118400);河南省科技重点项目(172102410062);国家自然科学基金河南省联合基金重点项目(U1604263)资助~~
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为了研究点缺陷对Al0.5Ga0.5N纳米片电子结构和光学性质的影响,建立了Al、Ga、N空位和N取代Al、N取代Ga的经典点缺陷结构。基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势的方法和GGA-PBE交换互联函数计算了能带、态密度、复介电函数、复折射率、吸收谱和能量损失谱等信息。结果表明,空位缺陷和替代缺陷会导致带隙变窄,其中Al空位和Ga空位均使费米能级进入价带,N空位使纳米片显n型性质;替代缺陷会使纳米片显示半金属性质。在光学性质上,缺陷导致纳米片复介电函数虚部低能区出现峰值,说明有电子跃迁的出现。同时空位
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