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力旺电子延续在NeoBit技术开发的成功经验,自2013年起正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse,将单次可编程嵌入式非挥发性内存技术的布局版图从成熟工艺进一步推展至先进工艺.NeoFuse瞄准先进工艺平台,具备IP组件尺寸小与数据保存能力佳等特点,可满足客户产品在先进工艺产品的进阶需求.目前NeoFuse技术已在多家国际级晶圆代工厂的65nm、55nm、40nm与28nm等低功耗与高压先进工艺通过组件技术验证并进入量产,并于今年九月在16nm强效鳍式场效晶体管工艺验证成功.