【摘 要】
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大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶研制叶真吉，陶世端，李忠良（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文介绍了采用国产低熔点化合物单晶炉，首次成功生长大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶。单晶参数为：尺寸：３５～４２ｍｍ晶体生长方向：＜１１１＞、＜２１１＞、
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大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶研制叶真吉，陶世端，李忠良（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文介绍了采用国产低熔点化合物单晶炉，首次成功生长大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶。单晶参数为：尺寸：３５～４２ｍｍ晶体生长方向：＜１１１＞、＜２１１＞、＜１００＞杂...
Development of InSb Single Crystal with Large Diameter and Low Dislocation Density YE Jingji, TAO Shiduan, LI Zhongliang (Kunming Institute of Physics, Kunming 650223) This paper introduces the first successful growth of large diameter and low dislocation density InSb single crystal using domestic low melting point single crystal furnace. Single crystal parameters: Size: 35 ~ 42mm Crystal growth direction: <111>, <211>, <100> ...
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