衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响

• 作 者: 王超 季振国 韩玮智 席俊华 张品
• 机 构: 河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,杭州电子科技大学电子信息学院,浙江大学材料与化工学院硅材料国家重点实验室
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2007年5期
• 关键词: ZNO薄膜 P型 直流反应磁控溅射 ZnO thin filmsp-typeDC reactive magnetron sputtering
• 基金项目: This work supported by the Scientific Research Foundation from Henan University （No. 06YBZR007）, the National NaturalScience Foundation of China （ No. 60576063 ） , and the PhD Project of the Chinese E

利用直流反应磁控溅射法（纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体）在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高。Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率（1.32 cm^2/Vs）和载流子浓度（5.58×