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使用低压化学气相沉积工艺（LPCVD），以三氯硅烷和氨气作为硅源和氮源，在烧结氮化硅表面制备氮化硅薄膜。分别考察了载气、沉积温度以及原料配比等工艺参数对沉积速率的影响，并对薄膜的组成、结构及硬度等性能进行了分析。结果表明，较好的工艺条件是，采用N2或N2＋H2为载气、沉积温度为800℃，NH3／HSiCl3流量比为4，此时薄膜沉积速率可达23．4nm／min，其主要由Si—N组成，并含有部分Si-O，硬度为28650MPa。