【摘 要】
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富士通计划在2006年制造同时采用高k介质和金属栅的低功耗器件,这大约比发展规划提前一年。富士通的先进LSI研发主管 Toshihiro Sugii说:“多晶硅只能在一代或两代中和高k介
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富士通计划在2006年制造同时采用高k介质和金属栅的低功耗器件,这大约比发展规划提前一年。富士通的先进LSI研发主管 Toshihiro Sugii说:“多晶硅只能在一代或两代中和高k介质一起使用,所以将研发资源投
Fujitsu plans to make low-power devices that use both high-k dielectrics and metal gates in 2006, about a year ahead of schedule. Toshihiro Sugii, head of LSI research and development at Fujitsu Advanced LSI, said: ”Polycrystalline silicon can only be used with high-k dielectrics in one or two generations, so investing R & D resources
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