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通过射频磁控溅射技术在玻璃衬底和Si（111）村底上制备了Zn0.96Nd0.04O薄膜。XRD分析表明，Zn0.96Nd0.04O薄膜是具有C轴择优生长的纳米多晶薄膜，Nd以替位原子的形式存在于ZnO晶格，Nd掺杂没有改变ZnO晶格结构。从AFM图中看出，薄膜表面形貌较为粗糙，Si衬底薄膜的晶粒具有规律且晶粒尺寸大于玻璃衬底。