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研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响，得到了优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝发光二极管。
P型GaN和AlGaN外延材料的制备
【摘 要】
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研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响，得到了优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝发光二极管。
【机 构】
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中国科学院半导体材料开放实验室
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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2000年8期
【基金项目】
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863计划!( 8637150 0 1 0 0 10 ),,国家自然科学基金!(6978960 1)资助项目
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