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6月22日,英飞凌(Infineon)科技和IBM展示全球第一款16Mbit磁阻式随机访问存储器(MRAM)。新展示的非易失性存储器芯片是目前为止密度最高的MRAM器件。这表明MRAM具有成为适用于高性能计算和移动应用的通用存储器的潜力。向MRAM写入第一位信息所需要的时间比闪存约快100万倍。从MRAM中读出第一位信息所要的时间比NOR闪存快3倍,比NAND闪存快约1000倍。此外,MRAM的功耗比DRAM技术小得多。此次展示的16MbMRAM产品样品采用0.18mm工艺制造。器件采用单晶体管单磁隧道结