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用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时60Coγ射线入射产生的剂量梯度分布，并且通过mcnp5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型，进而计算了剂量增强因子．计算结果表明：界面附近硅一侧具有明显的剂量梯度分布，界面剂量增强因子为1．76．
基于mcnp5程序研究60Coγ射线的剂量增强效应
【摘 要】
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用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时60Coγ射线入射产生的剂量梯度分布，并且通过mcnp5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型，进而计算了剂量增强因子．计算结果表明：界面附近硅一
【机 构】
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新疆大学物理科学与技术学院,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室
【出 处】
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新疆大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2013年4期
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