适用于64M DRAM的亚微米CMOS晶体管

• 作 者: 盛柏桢
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 1990年01期
• 关键词: 晶体管 微米 松下电器产业 半导体研究 沟道 电子材料 器件 超超 侧壁 离子注入

据日本《电子材料》1989年第1期报导,日本松下电器产业半导体研究中心已开发成功能适用于亚微米器件新的P沟道晶体管结构LATIPS(LArge Tilt angle IMplanted Puch-

According to Japan’s “Electronic Materials” No. 1, 1989 reported that Japan’s Matsushita Electric Industrial Semiconductor Research Center has developed a successful application of sub-micron devices in the new P-channel transistor structure LATIPS (LArge Tilt angle IMplanted Puch-