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静电放电（ESD，Electro-Static discharge）会对电子产品形成很大危害，造成电子产品功能紊乱，甚至部件损坏。在军品领域，半导体器件的集成规模越来越大，布线工艺已达到亚微米阶段，导致了半导体器件对外界应力敏感程度愈来愈高。静电放电对于电路引起的干扰，特别是对元器件、CMOS电路造成的破坏等问题越来越引起我们的重视。文中主要介绍了电子产品静电的形成途径，并对静电防护的目的和主要方法进行了论述。