ZnO纳米结构/p-GaAs的制备及其发光特性研究

• 作 者: 张敏 董方营 张立春
• 机 构: 鲁东大学物理与光电工程学院
• 出 处: 鲁东大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2015年2期
• 关键词: ZnO p-Ga As 脉冲激光沉积 水热法 光致发光 ZnO p-GaAs pulse laser deposition hydrothermal metho

利用脉冲激光沉积（PLD）技术及水热法分别在p-GaAs外延片上生长了ZnO薄膜和纳米棒.XRD及SEM测试结果表明,在GaAs衬底上生长的纤锌矿ZnO薄膜沿c轴方向生长,而ZnO纳米棒表现出多晶结构.室温下ZnO薄膜/p-GaAs的光致发光谱由一个近紫外发光峰（380nm）、一条中心波长位于550nm的可见发光带以及一个近红外发光峰（910nm）组成,分别对应于ZnO的近带边发射、与ZnO缺陷相关的深能级发射以及p-GaAs中Be受主能级相关的辐射复合.由于ZnO纳米棒膜层较厚且取向性差,ZnO纳米棒/