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利用半经验的ZINDO方法研究了聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的电子光跃迁性质.以噻吩为基的共聚物具有阱-垒-阱结构特征,阱部分为具有不同共轭长度的聚噻吩,垒部分为具有大能隙的非可见的发光材料.计算发现,改变阱的共轭长度和垒的结构可控制聚合物的发光,跃迁能随链长的增加而减小,表现为光吸收谱红移.