【摘 要】
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在77K时观察到了离子注入Yb和Er的InP、SI—InP、GaAs和n—GaAs具有尖锐结构的光致发光峰。这些发光峰分别来自于Yb~(3+)(4f~(13))~2F_(5/2)→~2F_(7/2)(近1.0μm)和Er~(3+)(
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所长春130021,长春130021
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在77K时观察到了离子注入Yb和Er的InP、SI—InP、GaAs和n—GaAs具有尖锐结构的光致发光峰。这些发光峰分别来自于Yb~(3+)(4f~(13))~2F_(5/2)→~2F_(7/2)(近1.0μm)和Er~(3+)(4f~(11))~4I_((13)/2)→~4I_((15)/2)(近1.54μm)的跃迁。注入Yb和Er的样品分别在800和750℃退火,获得最佳发光强度。根据光致发光和X射线双晶衍射回摆曲线的分析,InP:Yb样品在850℃退火,获得注入层的最佳晶格结构。本文首次研究了SI
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