复合添加ZnO/V_2O_5对（Zr_（0.8）Sn_（0.2））TiO_4陶瓷性能的影响

• 作 者: 于轩 秦旺洋 贾路方 钱莹 丁东
• 机 构: 汉高华威电子股份有限公司
• 出 处: 电子与封装
• 发表日期: 2015年2期
• 关键词: (Zr0.8Sn0.2)Ti O4 复合添加Zn O/V2O5 烧结机制 介电性能 （Zr0.8Sn0.2）TiO4 ZnO and V205 co-dopin

讨论了复合添加Zn O/V2O5对（Zr0.8Sn0.2）Ti O4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明：Zn O/V2O5对（Zr0.8Sn0.2）Ti O4的烧结有一定的促进作用,但Zn O/V2O5添加量的增大会造成晶格缺陷和残留气孔增多,从而导致材料的密度和Q×f降低。在1 320℃保温4 h并添加了0.6 wt%Zn O/V2O5的试样具有相对较好的介电性能：εr=36.48,Q×f=16 800 GHz。