氧化物气敏半导体与H_2O(g)、O_2(g)及还原性气体相互作用的研究

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本文系统地研究了SnO_2系和γ-Fe_2O_3元件在变温过程中与H_2O(g)、O_2(g)和还原性气体相互作用的规律。结果表明:Al_2O_3、MgO、Pd、Pt和Sb_2O_3均对元件的体电阻均有调制作用。Al_2O_3是以微粒状存在于元件内,它为元件提供了活化中心,提高了元件的灵敏度。 In this paper, we systematically studied the rules of the interaction between SnO_2 and γ-Fe_2O_3 elements with H_2O (g), O_2 (g) and reducing gas during temperature changing. The results show that Al 2 O 3, MgO, Pd, Pt and Sb 2 O 3 all modulate the bulk resistance of the device. Al 2 O 3 is present in the form of particles inside the element, which provides the activation center of the element and improves the sensitivity of the element.
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