基于4H-SiC的高能量分辨率α粒子探测器

• 作 者: 吴健 蒋勇 甘雷 李勐 邹德慧 荣茹 鲁艺 李俊杰 范晓强
• 机 构: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,中国1:程物理研究院中子物理重点实验室
• 出 处: 强激光与粒子束
• 发表日期: 2015年1期
• 关键词: 能量分辨率 半导体探测器 碳化硅 energy resolution semiconductor detector SiC
• 基金项目: 国家自然科学基金项目（11205140,11475151）, 中国工程物理研究院中子物理学重点实验室资助课题（2013AC01,2013BC01）, 中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金项目（2011CX02）

为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率和能量线性度。所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200V时,其漏电流仅14.92nA/cm2。采用具有5种主要能量α粒子的226 Ra源研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率,获得4H-SiC探测系统对4.8~7.7 MeV能量范围内α粒子的能量分辨率为0.61%~0.90%,与国际上报道的高分辨4H-SiC探测系统能量分辨率一致。同时