一种新颖的具有HEMT和GaAsMMIC的Ku波段...

• 作 者: 戴永胜
• 机 构: 南京电子器件研究所南京210016
• 出 处: 电子科学学刊
• 发表日期: 1992年6期
• 关键词: 低噪声放大器 晶体管 砷化镓 Low noise amplifiers High electron mobility transistor (HEMT) GaA
• 基金项目: 国家“七·五”攻关配套应用研究课题

本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。