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用扩展电阻（ＳＲＰ），二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等方法，测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构、电特性和杂质分布。讨论了不同方法的测量，说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用。用制作适合器件需要的ＳＯＩ材料，必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。
SIMOX材料结构,电特性及杂质分析
【摘 要】
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用扩展电阻（ＳＲＰ），二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等方法，测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构、电特性和杂质分布。讨论了不同方法的测量，说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用。用制作适合器件需要的ＳＯＩ材料，必
【机 构】
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北京师范大学低能核物理所,北京大学微电子所
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1998年1期
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