【摘 要】
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ZnSe在室温下禁带宽度为2.67ev,有直接跃迁的能带结构,是良好的发光材料,但由于自补偿效应,通常只能得到n型一种导电类型,而难以得到p型。近年来,为了发挥ZnSe的优良发光性
【机 构】
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中国科学院长春物理所,中国科学院长春物理所
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ZnSe在室温下禁带宽度为2.67ev,有直接跃迁的能带结构,是良好的发光材料,但由于自补偿效应,通常只能得到n型一种导电类型,而难以得到p型。近年来,为了发挥ZnSe的优良发光性能,人们采用了MS、MIS、隧穿等载流子注入机构来制备ZnSe发光器
ZnSe has a bandgap of 2.67 eV at room temperature and has a direct transition band structure, which is a good luminescent material. However, it is usually difficult to obtain a p-type conductivity due to the self-compensation effect. In recent years, in order to give play to the excellent luminescent properties of ZnSe, people have adopted MS, MIS, tunneling and other carrier injection mechanisms to prepare ZnSe emitters
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