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用ＳｉＨ４┐Ｎ２进行ＰＥＣＶＤ生长高质量ＳｉＮ研究刘英坤李明月（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）１引言众所周知，氮化硅薄膜，尤其是低温等离子体淀积的氮化硅薄膜ＰＥＣＶＤ—ＳｉｘＮｙ，因其良好的物理化学性质和优越的制备工艺，在现代半导体器...
用SiH4—N2进行PECVD生长高质量SiN研究
【摘 要】
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用ＳｉＨ４┐Ｎ２进行ＰＥＣＶＤ生长高质量ＳｉＮ研究刘英坤李明月（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）１引言众所周知，氮化硅薄膜，尤其是低温等离子体淀积的氮化硅薄膜ＰＥＣＶＤ—ＳｉｘＮｙ，因其良好的物理化学性质和优越的制备工艺，在
【机 构】
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电子工业部第十三研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1997年4期
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