【摘 要】
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研究了Ｙｂ∶ＦＡＰ晶体的光谱特性．用９８０ｎｍ的ＩｎＧａＡｓ激光二极管激发测量了Ｙｂ∶ＦＡＰ晶体的偏振发射光谱和荧光寿命，结合晶体的偏振吸收光谱，采用对易法计算了晶体的吸收截面和发射截面．讨论了Ｙｂ３＋掺杂浓度对Ｙｂ∶ＦＡＰ的光
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研究了Ｙｂ∶ＦＡＰ晶体的光谱特性．用９８０ｎｍ的ＩｎＧａＡｓ激光二极管激发测量了Ｙｂ∶ＦＡＰ晶体的偏振发射光谱和荧光寿命，结合晶体的偏振吸收光谱，采用对易法计算了晶体的吸收截面和发射截面．讨论了Ｙｂ３＋掺杂浓度对Ｙｂ∶ＦＡＰ的光谱参数的影响．在较低掺杂浓度下，Ｙｂ∶ＦＡＰ晶体π偏振方向在９０３ｎｍ处的吸收截面为１０×１０－２０ｃｍ２，在１．０４３μｍ处的发射截面为５．８×１０－２０ｃｍ２，激光上能级的荧光寿命为１．１ｍｓ．比较了Ｙｂ∶ＦＡＰ晶体和Ｙｂ∶ＹＡＧ晶体的光谱性能参数
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