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与传统光源相比，GaN基发光二级管（LED）具有寿命长、节能、功耗低等优点，而优化LED有源区内电流扩展均匀性是提高u1D器件性能的关键。对国内外与u1D电流扩展相关的文献进行研究和归纳分析，结果表明，n型GaN层、P型Clan层、p型透明导电层、电极形状、芯片尺寸和器件结构等因素都会影响uTD有源区内的电流扩展均匀性。